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[常见问题解答]低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域[ 2021-11-11 18:16 ]
低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域低内阻场效应管 4N10的特点:VDS=100VID=3.8ARDS(ON)<240mΩ@VGS=10V封装:SOT-23-3L低内阻场效应管 4N10的应用领域:负载开关电池保护不间断电源低内阻场效应管 4N10的极限值:(如无特殊说明,TC=25℃)漏极-源极电压 VDS:100V栅极-源极电压 VGS:±20V漏极电流-连续 ID:3.5A漏极电流-脉冲 IDM:8A总耗散功率 PD:3.76W存储温度 TSTG:-55~150℃工
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