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2021-11-18 浏览：-STD2N62K3,STD2N62K3 MOS场效应管参数_中文资料_规格书
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STD2N62K3场效应管封装引脚图
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STD2N62K3.pdf 数据手册(规格书)下载
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 620 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
| 单脉冲雪崩电流 | IAR | 2.2 | A |
| 栅极-源极电压 | ID | 2.2 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 8.8 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 85 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | - | mJ |
| 二极管恢复峰值 | dv/dt | 12 | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 45/20/45 | W |
| 工作结温范围 | TJ | -55~150 | °С |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55~150 | °С |
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