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低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域

返回列表来源:IM体育:im体育 发布日期 2021-11-11 浏览:-

低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域

低内阻场效应管 4N10的特点:

VDS=100V

ID=3.8A

RDS(ON)<240mΩ@VGS=10V

封装:SOT-23-3L

低内阻场效应管 4N10的应用领域:

负载开关

电池保护

不间断电源

低内阻场效应管 4N10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

漏极-源极电压 VDS:100V

栅极-源极电压 VGS:±20V

漏极电流-连续 ID:3.5A

漏极电流-脉冲 IDM:8A

总耗散功率 PD:3.76W

存储温度 TSTG:-55~150℃

工作结温 TJ:-55~150℃

结到环境的热阻 RθJA:70℃/W

结到管壳的热阻 RθJC:30℃/W

低内阻场效应管 4N10的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

低内阻场效应管 4N10的电特性:

低内阻场效应管 4N10的封装外形尺寸:

低内阻场效应管 4N10的封装外形尺寸

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